AgGaS2 Kristaller
AGS ass transparent vun 0,50 bis 13,2 µm.Och wann säin net-linearen opteschen Koeffizient deen niddregsten ënnert den ernimmten Infraroutkristaller ass, gëtt héich Kuerzwellelängt Transparenzrand bei 550 nm benotzt an OPOs gepompelt vum Nd: YAG Laser;a villen Differenzfrequenzvermëschungsexperimenter mat Diode, Ti: Saphir, Nd: YAG an IR Faarflaser déi 3-12 µm Gamme ofdecken;an direkt Infraroutstrahlung Géigewier Systemer, a fir SHG vun CO2 Laser.Dënn AgGaS2 (AGS) Kristallplacke si populär fir Ultrashort Puls Generatioun an der Mëtt IR Gamme duerch Differenz Frequenz Generatioun mat NIR Wellelängt Impulser.
Uwendungen:
• Generatioun zweet Harmonie op CO an CO2 - Laser
• Optesch parametric oscilator
• Verschidde Frequenzgenerator bis Mëtt Infraroutregiounen bis 12μm.
• Frequenzvermëschung an der Mëtt IR Regioun vu 4.0 bis 18.3 µm
• Tuneable Solid State Laser (OPO gepompelt vun Nd:YAG an aner Laser déi an 1200 bis 10000 nm Regioun mat Effizienz 0,1 bis 10%) operéieren
• Optesch Schmuelbandfilter an der Regioun no bei isotropesche Punkt (0,4974 m bei 300 °K), Iwwerdroungsband gëtt bei Temperaturvariatioun ofgestëmmt
• Up-Konversioun vun CO2 Laser Stralung Bild an no-IR oder siichtbar Regioun duerch Benotzung / oder Gebrauch vun Nd: YAG, Rubin oder Faarf Laser mat Effizienz bis zu 30%
• Optesch parametric oscilator
• Verschidde Frequenzgenerator bis Mëtt Infraroutregiounen bis 12μm.
• Frequenzvermëschung an der Mëtt IR Regioun vu 4.0 bis 18.3 µm
• Tuneable Solid State Laser (OPO gepompelt vun Nd:YAG an aner Laser déi an 1200 bis 10000 nm Regioun mat Effizienz 0,1 bis 10%) operéieren
• Optesch Schmuelbandfilter an der Regioun no bei isotropesche Punkt (0,4974 m bei 300 °K), Iwwerdroungsband gëtt bei Temperaturvariatioun ofgestëmmt
• Up-Konversioun vun CO2 Laser Stralung Bild an no-IR oder siichtbar Regioun duerch Benotzung / oder Gebrauch vun Nd: YAG, Rubin oder Faarf Laser mat Effizienz bis zu 30%
| Basis Eegeschaften | |
| Gitter Parameteren | a = 5,757, c = 10,311 Å |
| Net-linear Koeffizient bei 10,6 um | d36 = 12,5 pm/V |
| Optesch Schued Schwell bei 10,6 um, 150 ns | 10 - 20 MW/cm2 |
| parallel zu c-Achs | 12,5 x 10-6 x °C-1 |
| senkrecht zur c-Achs | -13,2 x 10-6 x °C-1 |
| Kristallstruktur | Tetragonal |
| Zell Parameteren | a=5,756 Å, c=10,301 Å |
| Schmëlzpunkt | 997 °C |
| Dicht | 4,702 g/cm3 |
| Mohs Hardness | 3-3,5 |
| Absorptiounskoeffizient | 0,6 cm-1 @ 10,6 µm |
| Relativ Dielektresch Konstant @ 25 MHz | ε11s=10ε11t=14 |
| Thermesch Expansiounskoeffizient | ||C: -13,2 x 10-6 /oC⊥C: +12,5 x 10-6 /oC |
| Thermesch Konduktivitéit | 1,5 W/M/°C |
| Technesch Parameteren | |
| Wavefront Verzerrung | manner wéi λ/6 @ 633 nm |
| Dimensioun Toleranz | (W +/-0,1 mm) x (H +/-0,1 mm) x (L +0,2 mm/-0,1 mm) |
| Kloer Ouverture | > 90% zentrale Beräich |
| Flaachheet | λ/6 @ 633 nm fir T>=1.0mm |
| Uewerfläch Qualitéit | Schrummen / Grab 20/10 pro MIL-O-13830A |
| Parallelismus | besser wéi 1 arc min |
| Perpendicularitéit | 5 Bogenminutten |
| Wénkel Toleranz | Δθ < +/-0.25o, Δφ < +/-0.25o |
| Modell | Produit | Gréisst | Orientéierung | Uewerfläch | Mount | Quantitéit |
| DE 0053 | AGS | 5 * 5 * 0,5 mm | θ=41,3°;φ=0° | AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm | Unmontéiert | 1 |
| DE 0093 | AGS | 8*8*1 mm | θ=39°;φ=45° | Béid Säiten poléiert | φ25,4 mm | 3 |
| DE0119-0 | AGS | 8*8*1 mm | θ=39°;φ=45° | AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm | φ25,4 mm | 3 |
| DE0119-3 | AGS | 8*8*1 mm | θ=39°;φ=45° | AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm | Unmontéiert | 2 |
| DE0119-1 | AGS | 8*8*1 mm | θ=37°;φ=45° | AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm | Unmontéiert | 3 |
| DE 0149 | AGS | 8*8*0,38 mm | θ=41,6°;φ=45° | AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm | Unmontéiert | 1 |
| DE 0367 | AGS | 8*8*0,4 mm | θ=39°;φ=45° | AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm | φ25,4 mm | 1 |
| DE0367-0 | AGS | 8*8*0,4 mm | θ=39°;φ=45° | AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm | Unmontéiert | 1 |
| DE0367-1 | AGS | 8*8*0,4 mm | θ=37°;φ=45° | AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm | Unmontéiert | 3 |
| DE0367-2 | AGS | 8*8*0,4 mm | θ=37°;φ=45° | AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm | φ25,4 mm | 1 |
