AgGaS2 Kristaller


  • Gitter Parameteren:a = 5,757, c = 10,311 Å
  • Schmëlzpunkt:997 °C
  • Dicht:4,702 g/cm3
  • Mohs Hardness:3-3,5
  • Absorptiounskoeffizient:0,6 cm-1 @ 10,6 µm
  • Relativ Dielektresch Konstant @ 25:ε11s=10ε11t=14
  • Produit Detailer

    Technesch Parameteren

    Testbericht

    Stock Lëscht

    AGS ass transparent vun 0,50 bis 13,2 µm.Och wann säin net-linearen opteschen Koeffizient deen niddregsten ënnert den ernimmten Infraroutkristaller ass, gëtt héich Kuerzwellelängt Transparenzrand bei 550 nm benotzt an OPOs gepompelt vum Nd: YAG Laser;a villen Differenzfrequenzvermëschungsexperimenter mat Diode, Ti: Saphir, Nd: YAG an IR Faarflaser déi 3-12 µm Gamme ofdecken;an direkt Infraroutstrahlung Géigewier Systemer, a fir SHG vun CO2 Laser.Dënn AgGaS2 (AGS) Kristallplacke si populär fir Ultrashort Puls Generatioun an der Mëtt IR Gamme duerch Differenz Frequenz Generatioun mat NIR Wellelängt Impulser.

    Uwendungen:
    • Generatioun zweet Harmonie op CO an CO2 - Laser
    • Optesch parametric oscilator
    • Verschidde Frequenzgenerator bis Mëtt Infraroutregiounen bis 12μm.
    • Frequenzvermëschung an der Mëtt IR Regioun vu 4.0 bis 18.3 µm
    • Tuneable Solid State Laser (OPO gepompelt vun Nd:YAG an aner Laser déi an 1200 bis 10000 nm Regioun mat Effizienz 0,1 bis 10%) operéieren
    • Optesch Schmuelbandfilter an der Regioun no bei isotropesche Punkt (0,4974 m bei 300 °K), Iwwerdroungsband gëtt bei Temperaturvariatioun ofgestëmmt
    • Up-Konversioun vun CO2 Laser Stralung Bild an no-IR oder siichtbar Regioun duerch Benotzung / oder Gebrauch vun Nd: YAG, Rubin oder Faarf Laser mat Effizienz bis zu 30%
    Basis Eegeschaften
    Gitter Parameteren a = 5,757, c = 10,311 Å
    Net-linear Koeffizient bei 10,6 um d36 = 12,5 pm/V
    Optesch Schued Schwell bei 10,6 um, 150 ns 10 - 20 MW/cm2
    parallel zu c-Achs 12,5 x 10-6 x °C-1
    senkrecht zur c-Achs -13,2 x 10-6 x °C-1
    Kristallstruktur Tetragonal
    Zell Parameteren a=5,756 Å, c=10,301 Å
    Schmëlzpunkt 997 °C
    Dicht 4,702 g/cm3
    Mohs Hardness 3-3,5
    Absorptiounskoeffizient 0,6 cm-1 @ 10,6 µm
    Relativ Dielektresch Konstant @ 25 MHz ε11s=10ε11t=14
    Thermesch Expansiounskoeffizient ||C: -13,2 x 10-6 /oC⊥C: +12,5 x 10-6 /oC
    Thermesch Konduktivitéit 1,5 W/M/°C

     

    Technesch Parameteren
    Wavefront Verzerrung manner wéi λ/6 @ 633 nm
    Dimensioun Toleranz (W +/-0,1 mm) x (H +/-0,1 mm) x (L +0,2 mm/-0,1 mm)
    Kloer Ouverture > 90% zentrale Beräich
    Flaachheet λ/6 @ 633 nm fir T>=1.0mm
    Uewerfläch Qualitéit Schrummen / Grab 20/10 pro MIL-O-13830A
    Parallelismus besser wéi 1 arc min
    Perpendicularitéit 5 Bogenminutten
    Wénkel Toleranz Δθ < +/-0.25o, Δφ < +/-0.25o

    测试图1图片2

    Modell

    Produit Gréisst Orientéierung Uewerfläch Mount

    Quantitéit

    DE 0053

    AGS 5 * 5 * 0,5 mm θ=41,3°;φ=0° AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm Unmontéiert

    1

    DE 0093

    AGS 8*8*1 mm θ=39°;φ=45° Béid Säiten poléiert φ25,4 mm

    3

    DE0119-0

    AGS 8*8*1 mm θ=39°;φ=45° AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm φ25,4 mm

    3

    DE0119-3

    AGS 8*8*1 mm θ=39°;φ=45° AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm Unmontéiert

    2

    DE0119-1

    AGS 8*8*1 mm θ=37°;φ=45° AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm Unmontéiert

    3

    DE 0149

    AGS 8*8*0,38 mm θ=41,6°;φ=45° AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm Unmontéiert

    1

    DE 0367

    AGS 8*8*0,4 mm θ=39°;φ=45° AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm φ25,4 mm

    1

    DE0367-0

    AGS 8*8*0,4 mm θ=39°;φ=45° AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm Unmontéiert

    1

    DE0367-1

    AGS 8*8*0,4 mm θ=37°;φ=45° AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm Unmontéiert

    3

    DE0367-2

    AGS 8*8*0,4 mm θ=37°;φ=45° AR/AR@1.1-2.6μm+2.6-12μm φ25,4 mm

    1