GSGG Kristaller


  • Zesummesetzung:(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
  • Kristallstruktur:Kubik: a = 12.480 Å
  • Molekulare wDielektresch konstanteight:968,096
  • Schmelzpunkt:~1730 oC
  • Dicht:~7,09 g/cm3
  • Hardness:~7.5 (Mohns)
  • Brechungsindex:1,95
  • Dielectric konstant: 30
  • Produit Detailer

    Technesch Parameteren

    GGG / SGGG / NGG Garnets gi fir flësseg Epitaxie benotzt. an engem Magnéitfeld gesat ginn.
    SGGG Substrat ass exzellent fir Bismut-substituéiert Eisen Granat Epitaxial Filmer ze wuessen, ass gutt Material fir YIG, BiYIG, GdBIG.
    Et ass gutt kierperlech a mechanesch Eegeschaften a chemesch Stabilitéit.
    Uwendungen:
    YIG, BIG epitaxy Film;
    Mikrowellengeräter;
    Ersatz GGG

    Eegeschaften:

    Zesummesetzung (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
    Kristallstruktur Kubik: a = 12.480 Å ,
    Molekulare wDielektric konstanteight 968,096
    Schmelzpunkt ~1730 oC
    Dicht ~7,09 g/cm3
    Hardness ~7.5 (Mohns)
    Refraktiounsindex 1,95
    Dielectric konstant 30
    Dielektresche Verloscht Tangent (10 GHz) ca.3.0 * 10_4
    Crystal Wuesstem Method Czochralski
    Crystal Wuesstem Richtung <111>

    Technesch Parameteren:

    Orientéierung <111> <100> innerhalb ± 15 Bogenmin
    Wave Front Verzerrung <1/4 Welle@632
    Duerchmiesser Toleranz ± 0,05 mm
    Längt Toleranz ± 0,2 mm
    Chamfer 0,10 mm @ 45º
    Flaachheet <1/10 Welle bei 633nm
    Parallelismus <30 Arc Sekonnen
    Perpendicularitéit < 15 Arc Min
    Uewerfläch Qualitéit 10/5 Schrummen / Dig
    Kloer Apertur >90%
    Grouss Dimensiounen vun Kristaller 2,8-76 mm Duerchmiesser