Yb: YAG Kristaller

Chemesch:Yb: JAG

Ausgangswellelängt:1.029 um

Absorptioun Bands:930 nm bis 945 nm

Pompel Wellelängt:9 40nm

Schmëlzpunkt:1970°C

Dicht:4,56 g/cm3

Mohs Hardness:8.5

Thermesch Konduktivitéit:14 Ws /m /K @ 20°C

WhatsApp Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Spezifizéierung

Video

Yb:YAG ass ee vun de villverspriechendste laseraktive Materialien a méi gëeegent fir Diodepompelen wéi déi traditionell Nd-dotéiert Systemer.Am Verglach mat der allgemeng benotzt Nd: YAG crsytal, Yb: YAG Kristall huet eng vill méi grouss Absorptioun bandwidth thermesch Gestioun Ufuerderunge fir diode Laser reduzéieren, eng méi ieweschte-Laser Niveau Liewensdauer, dräi bis véier mol manner thermesch Luede pro Eenheet Pompel Muecht.Yb: YAG Kristall gëtt erwaart Nd ze ersetzen: YAG Kristall fir héich Kraaft Diode-gepompelt Laser an aner potenziell Uwendungen.
Yb: YAG weist grouss Verspriechen als héich Muecht Laser Material.Verschidde Applikatiounen ginn am Beräich vun industrielle Laser entwéckelt, wéi zum Beispill Metallschneiden a Schweißen.Mat héijer Qualitéit Yb:YAG elo verfügbar, ginn zousätzlech Felder an Uwendungen exploréiert.
Virdeeler vum Yb:YAG Crystal:
• Ganz niddereg Fraktiounsheizung, manner wéi 11%
• Ganz héich Steigungseffizienz
• Breet Absorptiounsbänner, ongeféier 8nm @ 940nm
• Keng opgereegt-Staat Absorptioun oder Up-Konversioun
• Gemittlech gepompelt vun zouverléissege InGaAs Dioden bei 940nm (oder 970nm)
• Héich thermesch Konduktivitéit a grouss mechanesch Kraaft
• Héich optesch Qualitéit
Uwendungen:
• Mat enger breet Pompel Band an excellent Emissioun Querschnëtt Yb: YAG ass eng ideal Kristallsglas produzéiert fir Diode Pompelstatiounen.
• High Output Power 1.029 1mm
• Laser Material fir Diode Pompelstatiounen
• Material Veraarbechtung, Schweess a Schneiden

Basis Eegeschaften:

Chemesch Formel	Y₃Al₅O₁₂:Yb (0,1% bis 15% Yb)
Kristallstruktur	Kubik
Ausgangswellelängt	1.029 um
Laser Aktioun	3 Niveau Laser
Emissioun Liewensdauer	951 eis
Brechungsindex	1,8 @ 632 nm
Absorptioun Bands	930 nm bis 945 nm
Pompel Wellelängt	9 40nm
Absorptiounsband iwwer Pompelwellelängt	10 nm
Schmëlzpunkt	1970°C
Dicht	4,56 g/cm³
Mohs Hardness	8.5
Gitter Konstanten	12.01 Uhr
Thermesch Expansiounskoeffizient	7,8x10^-6/K, [111], 0-250°C
Thermesch Konduktivitéit	7,8x10^-6/K, [111], 0-250°C

Technesch Parameteren:

Orientéierung	bannent 5°
Duerchmiesser	3 mm bis 10 mm
Duerchmiesser Toleranz	+0,0 mm/- 0,05 mm
Längt	30 mm bis 150 mm
Längt Toleranz	± 0,75 mm
Perpendicularitéit	5 Bogenminutten
Parallelismus	10 Bousekonnen
Flaachheet	0,1 Welle maximal
Uewerfläch Finish	20-10
Faass Finish	400 gr
End Face Bevel:	0,075 mm bis 0,12 mm bei 45° Wénkel
Chips	Nee Chips erlaabt op Enn Gesiicht vun Staang;Chip mat maximaler Längt vun 0,3 mm erlaabt an der Géigend vu Schräg- a Faassflächen ze leien.
Kloer Ouverture	Zentral 95%
Beschichtungen	Standardbeschichtung ass AR bei 1,029 um mat R<0,25% all Gesiicht.Aner Beschichtungen verfügbar.