Yb: YAG Kristaller


  • Chemesch:Yb: JAG
  • Ausgangswellelängt:1,029 um
  • Absorptioun Bands:930 nm bis 945 nm
  • Pompel Wellelängt:9 40nm
  • Schmëlzpunkt:1970°C
  • Dicht:4,56 g/cm3
  • Mohs Hardness:8.5
  • Thermesch Konduktivitéit:14 Ws /m /K @ 20°C
  • Produit Detailer

    Spezifizéierung

    Video

    Yb:YAG ass ee vun de villverspriechendste laseraktiven Materialien a méi gëeegent fir Diodepompelen wéi déi traditionell Nd-dotéiert Systemer.Am Verglach mat der allgemeng benotzt Nd: YAG crsytal, Yb: YAG Kristall huet eng vill méi grouss Absorptioun bandwidth thermesch Gestioun Ufuerderunge fir diode Laser reduzéieren, eng méi ieweschte-Laser Niveau Liewensdauer, dräi bis véier Mol manner thermesch Luede pro Eenheet Pompel Muecht.Yb: YAG Kristall gëtt erwaart Nd ze ersetzen: YAG Kristall fir héich Kraaft Diode-gepompelt Laser an aner potenziell Uwendungen.
    Yb: YAG weist grouss Verspriechen als héich Kraaft Laser Material.Verschidde Applikatiounen ginn am Beräich vun industrielle Laser entwéckelt, wéi Metallschneiden a Schweißen.Mat héijer Qualitéit Yb:YAG elo verfügbar, ginn zousätzlech Felder an Uwendungen exploréiert.
    Virdeeler vum Yb:YAG Crystal:
    • Ganz niddereg Fraktiounsheizung, manner wéi 11%
    • Ganz héich Steigungseffizienz
    • Breet Absorptiounsbänner, ongeféier 8nm@940nm
    • Keng opgereegt-Staat Absorptioun oder Up-Konversioun
    • Gemittlech gepompelt vun zouverléissege InGaAs Dioden bei 940nm (oder 970nm)
    • Héich thermesch Konduktivitéit a grouss mechanesch Kraaft
    • Héich optesch Qualitéit
    Uwendungen:
    • Mat enger breet Pompel Band an excellent Emissioun Querschnëtt Yb: YAG ass eng ideal Kristallsglas produzéiert fir Diode Pompelstatiounen.
    • High Output Power 1.029 1mm
    • Laser Material fir Diode Pompelstatiounen
    • Materialveraarbechtung, Schweißen a Schneiden

    Basis Eegeschaften:

    Chemesch Formel Y3Al5O12:Yb (0,1% bis 15% Yb)
    Kristallstruktur Kubik
    Ausgangswellelängt 1,029 um
    Laser Aktioun 3 Niveau Laser
    Emissioun Liewensdauer 951 eis
    Brechungsindex 1,8 @ 632 nm
    Absorptioun Bands 930 nm bis 945 nm
    Pompel Wellelängt 9 40nm
    Absorptiounsband iwwer Pompelwellelängt 10 nm
    Schmëlzpunkt 1970°C
    Dicht 4,56 g/cm3
    Mohs Hardness 8.5
    Gitter Konstanten 12.01 Uhr
    Thermesch Expansiounskoeffizient 7,8x10-6/K, [111], 0-250°C
    Thermesch Konduktivitéit 7,8x10-6/K, [111], 0-250°C

    Technesch Parameteren:

    Orientéierung bannent 5°
    Duerchmiesser 3 mm bis 10 mm
    Duerchmiesser Toleranz +0,0 mm/- 0,05 mm
    Längt 30 mm bis 150 mm
    Längt Toleranz ± 0,75 mm
    Perpendicularitéit 5 Bogenminutten
    Parallelismus 10 Bousekonnen
    Flaachheet 0,1 Welle maximal
    Uewerfläch Finish 20-10
    Faass Finish 400 gr
    End Face Bevel: 0,075 mm bis 0,12 mm bei 45° Wénkel
    Chips Nee Chips erlaabt op Enn Gesiicht vun Staang;Chip mat maximaler Längt vun 0,3 mm erlaabt an der Géigend vu Schräg- a Faassflächen ze leien.
    Kloer Ouverture Zentral 95%
    Beschichtungen Standardbeschichtung ass AR bei 1,029 um mat R<0,25% all Gesiicht.Aner Beschichtungen verfügbar.