BBO Kristall


  • Kristallstruktur:Trigonal,Space Group R3c
  • Gitter Parameter:a=b=12.532Å, c=12.717Å,Z=6
  • Schmëlzpunkt:Ongeféier 1095 ℃
  • Mohs Hardness: 4
  • Dicht:3,85 g/cm3
  • Thermesch Expansiounskoeffizienten:α11=4 x 10-6/K;α33=36x10-6/K
  • Produit Detailer

    Technesch Parameteren

    Video

    BBO ass en neien ultraviolette Frequenz Verdueblungskristall.Béid Typ I an Typ II Phase Matching kënnen duerch Wénkeltuning erreecht ginn.
    BBO ass en effizienten NLO Kristall fir déi zweet, drëtt a véiert harmonesch Generatioun vun Nd: YAG Laser, an de beschten NLO Kristall fir déi fënneft harmonesch Generatioun bei 213nm.Konversiounseffizienz vu méi wéi 70% fir SHG, 60% fir THG an 50% fir 4HG, an 200 mW Output bei 213 nm (5HG) goufen respektiv kritt.
    BBO ass och en effiziente Kristall fir den Intrakavitéit SHG vun héich Kraaft Nd: YAG Laser.Fir d'Intracavitéit SHG vun engem akustooptesche Q-geschalt Nd: YAG Laser, gouf méi wéi 15 W Duerchschnëttskraaft bei 532 nm vun engem AR-beschichtete BBO Kristall generéiert.Wann et duerch den 600 mW SHG Ausgang vun engem Modus-gespaarten Nd: YLF Laser gepompelt gëtt, gouf 66 mW Ausgang bei 263 nm aus engem Brewster-Wénkel geschniddene BBO an engem externen verstäerkten Resonanzhuelraum produzéiert.
    BBO kann och fir EO Uwendungen benotzt ginn.BBO Pockels Zellen oder EO Q-Schalter gi benotzt fir de Polariséierungszoustand vum Liicht ze änneren, deen duerch dat passéiert, wann eng Spannung op d'Elektroden vun elektroopteschen Kristalle wéi BBO applizéiert gëtt.Beta-Barium Borate (β-BaB2O4, BBO) mat Charakter breet Transparenz a Phase passende Beräicher, groussen net-lineare Koeffizient, héije Schuedschwell an exzellent optesch Homogenitéit an elektro-optesch Eegeschafte bidden attraktiv Méiglechkeeten fir verschidde net-linear optesch Uwendungen an elektrooptesch Uwendungen.
    Features vu BBO Kristaller:
    • Breet Phase matchbar Gamme vu 409,6 nm bis 3500 nm;
    • Breet Transmissioun Regioun vun 190 nm bis 3500 nm;
    • Grouss effektiv zweet-harmonesch Generatioun (SHG) Koeffizient ongeféier 6 Mol méi grouss wéi dee vum KDP-Kristall;
    • Héich Schued Schwell;
    • Héich optesch Homogenitéit mat δn ≈10-6 / cm;
    • Breet Temperatur-Bandbreed vun ongeféier 55 ℃.
    Wichteg Notiz:
    BBO huet eng niddereg Empfindlechkeet fir d'Feuchtigkeit.D'Benotzer ginn ugeroden dréchen Konditioune fir béid Uwendung a Konservatioun vu BBO ze bidden.
    BBO ass relativ mëll an erfuerdert dofir Virsiichtsmoossname fir seng poléiert Flächen ze schützen.
    Wann Wénkel Upassung néideg ass, bedenkt w.e.g. datt den Akzeptanzwinkel vu BBO kleng ass.

    Dimensioun Toleranz (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm)(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.1/-0.1) mm) (L<2,5 mm)
    Kloer Ouverture zentral 90% vum Duerchmiesser Keng siichtbar Streuungsweeër oder Zentren wann se vun engem 50mW grénge Laser gepréift ginn
    Flaachheet manner wéi L/8 @ 633nm
    Wavefront Verzerrung manner wéi L/8 @ 633nm
    Chamfer ≤0,2 mm x 45°
    Chip ≤0,1 mm
    Schrummen / Dig besser wéi 10/5 zu MIL-PRF-13830B
    Parallelismus ≤20 Bousekonnen
    Perpendicularitéit ≤5 Bogenminutten
    Wénkel Toleranz ≤0,25
    Schued Schwell[GW/cm2] >1 fir 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (nëmmen poléiert)>0.5 fir 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-beschichtet)>0.3 fir 532nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-beschichtet)
    Basis Eegeschafte
    Kristallstruktur Trigonal,Space Group R3c
    Gitter Parameter a=b=12.532Å, c=12.717Å,Z=6
    Schmëlzpunkt Ongeféier 1095 ℃
    Mohs Hardness 4
    Dicht 3,85 g/cm3
    Thermesch Expansiounskoeffizienten α11=4 x 10-6/K;α33=36x10-6/K
    Thermesch Konduktivitéitskoeffizienten ⊥c: 1,2W/m/K;//c: 1,6 W/m/K
    Transparenz Range 190-3500 nm
    SHG Phase Matchbar Range 409,6-3500nm (Typ I) 525-3500nm (Typ II)
    Thermesch-optesch Koeffizienten (/℃) dno/dT=-16,6 x 10-6/℃
    dne/dT=-9.3x 10-6/℃
    Absorptiounskoeffizienten <0,1%/cm (bei 1064nm) <1%/cm (bei 532nm)
    Wénkel Akzeptanz 0,8 mrad·cm (θ, Typ I, 1064 SHG)
    1.27mrad·cm (θ, Typ II, 1064 SHG)
    Temperatur Akzeptanz 55 ℃ · cm
    Spektral Akzeptanz 1,1 nm·cm
    Walk-off Wénkel 2,7° (Typ I 1064 SHG)
    3.2° (Typ II 1064 SHG)
    NLO Koeffizienten deff(I)=d31sinθ+(d11cos3Φ- d22 sin3Φ) cosθq
    deff (II)= (d11 sin3Φ + d22 cos3Φ) cos2θ
    Net-verschwonnen NLO susceptibilities d11 = 5.8 x d36(KDP)
    d31 = 0,05 x d11
    d22 < 0,05 x d11
    Sellmeier Equations
    (λ an μm)
    no2=2,7359+0,01878/(λ2-0,01822)-0,01354λ2
    ne2=2,3753+0,01224/(λ2-0,01667)-0,01516λ2
    Elektrooptesch Koeffizienten γ22 = 2,7 pm/V
    Hallefwelle Spannung 7 KV (op 1064 nm, 3x3x20mm3)