LBO Crystal


  • Kristallstruktur:Orthorhombesch, Raumgrupp Pna21, Punktgrupp mm2
  • Gitter Parameter:a=8,4473Å, b=7,3788Å,c=5,1395Å,Z=2
  • Schmëlzpunkt:Ongeféier 834 ℃
  • Mohs Hardness: 6
  • Dicht:2,47 g/cm3
  • Thermesch Expansiounskoeffizienten:αx=10.8x10-5/K, αy=-8.8x10-5/K,αz=3.4x10-5/K
  • αx=10.8x10-5/K, αy=-8.8x10-5/K,αz=3.4x10-5/K:3,5 W/m/K
  • Produit Detailer

    Technesch Parameteren

    LBO (Lithium Triborate - LiB3O5) ass elo dat populärst benotzt Material fir Second Harmonic Generation (SHG) vun 1064nm High Power Laser (als Ersatz fir KTP) an Sum Frequency Generation (SFG) vun 1064nm Laserquell fir UV Liicht bei 355nm z'erreechen .
    LBO ass Phase passend fir den SHG an THG vun Nd: YAG an Nd: YLF Laser, mat entweder Typ I oder Typ II Interaktioun.Fir den SHG bei Raumtemperatur kann Typ I Phase Matching erreecht ginn an huet de maximalen effektiven SHG Koeffizient an den Haapt XY an XZ Fligeren an engem breet Wellelängteberäich vu 551nm bis ongeféier 2600nm.SHG Konversiounseffizienz vu méi wéi 70% fir Puls an 30% fir cw Nd:YAG Laser, an THG Konversiounseffizienz iwwer 60% fir Puls Nd:YAG Laser goufen observéiert.
    LBO ass en exzellenten NLO Kristall fir OPOs an OPAs mat enger wäit ofstëmmbarer Wellelängtberäich an héich Muechten.Dës OPO an OPA, déi vum SHG an THG vum Nd: YAG Laser an XeCl Excimer Laser bei 308nm gepompelt ginn, goufen gemellt.Déi eenzegaarteg Eegeschafte vun Typ I an Typ II Phase Matching souwéi der NCPM verloossen e grousse Raum an der Fuerschung an Uwendungen vun LBO's OPO an OPA.
    Virdeeler:
    • Breet Transparenzberäich vu 160nm bis 2600nm;
    • Héich optesch Homogenitéit (δn≈10-6 / cm) a fräi vun der Inklusioun;
    • Relativ grouss efficace SHG Koeffizient (ongeféier dräimol déi vun KDP);
    • Héich Schued Schwell;
    • Breet Akzeptanzwénkel a klenge Spazéiergang;
    • Typ I an Typ II Net-kritesch Phase Matching (NCPM) an enger breeder Wellelängt;
    • Spektral NCPM bei 1300nm.
    Uwendungen:
    • Méi wéi 480mW Output bei 395nm gëtt generéiert duerch Frequenz Verdueblung vun engem 2W Modus gespaarten Ti: Saphir Laser (<2ps, 82MHz).D'Wellelängtberäich vu 700-900nm gëtt vun engem 5x3x8mm3 LBO Kristall bedeckt.
    • Iwwer 80W gréng Ausgang gëtt duerch SHG vun engem Q-geschalt Nd: YAG Laser an engem Typ II 18mm laang LBO Kristall kritt.
    • D'Frequenz Verdueblung vun engem Diode gepompelt Nd:YLF Laser (>500μJ @ 1047nm, <7ns, 0-10KHz) erreecht iwwer 40% Konversiounseffizienz an engem 9mm laangen LBO Kristall.
    • De VUV Output bei 187,7 nm gëtt duerch Sumfrequenz Generatioun kritt.
    • 2mJ / Pulsdiffraktioun begrenzte Strahl bei 355nm gëtt duerch d'Intracavity Frequenz Tripling vun engem Q-schalten Nd: YAG Laser kritt.
    • Eng zimlech héich Gesamtkonversiounseffizienz an 540-1030nm tunable Wellelängtberäich goufe mat OPO gepompelt bei 355nm kritt.
    • Typ I OPA gepompelt bei 355nm mat der Pompel-zu-Signal-Energiekonversiounseffizienz vun 30% gouf gemellt.
    • Typ II NCPM OPO gepompelt vun engem XeCl excimer Laser bei 308nm huet 16,5% Konversioun Effizienz erreecht, a moderéiert tunable Wellelängt Beräicher kann mat verschiddene Pompelstatiounen Quellen an Temperatur tuning kritt ginn.
    • Andeems Dir d'NCPM Technik benotzt, Typ I OPA gepompelt vum SHG vun engem Nd: YAG Laser bei 532nm gouf och beobachtet fir eng breet tunable Gamme vu 750nm bis 1800nm ​​duerch Temperaturtuning vun 106.5 ℃ bis 148.5 ℃ ze decken.
    • Andeems Dir den Typ II NCPM LBO als opteschen parametresche Generator (OPG) an den Typ I kriteschen Phase-matched BBO als OPA benotzt, goufen eng schmuel Linnebreedung (0.15nm) an héich Pompel-zu-Signal-Energiekonversiounseffizienz (32.7%) kritt wann et vun engem 4.8mJ gepompelt gëtt, 30ps Laser op 354.7nm.Wellelängt Tuning Gamme vu 482.6nm bis 415.9nm gouf bedeckt entweder duerch d'Erhéijung vun der Temperatur vum LBO oder duerch rotéierend BBO.

    Basis Eegeschafte

    Kristallstruktur

    Orthorhombesch, Raumgrupp Pna21, Punktgrupp mm2

    Gitter Parameter

    a=8,4473Å, b=7,3788Å,c=5,1395Å,Z=2

    Schmëlzpunkt

    Ongeféier 834 ℃

    Mohs Hardness

    6

    Dicht

    2,47 g/cm3

    Thermesch Expansioun Coeficients

    αx=10.8×10-5/K, αy=-8.8×10-5/K,αz=3.4×10-5/K

    Thermesch Konduktivitéitskoeffizienten

    3,5 W/m/K

    Transparenz Range

    160-2600 nm

    SHG Phase Matchbar Range

    551-2600nm (Typ I) 790-2150nm (Typ II)

    Thermoptesch Koeffizient (/℃, λ in μm)

    dnx/dT=-9.3X10-6
    dny/dT=-13.6X10-6
    dnz/dT=(-6.3-2.1λ)X10-6

    Absorptiounskoeffizienten

    <0,1%/cm bei 1064nm <0,3%/cm bei 532nm

    Wénkel Akzeptanz

    6,54 mrad·cm (φ, Typ I, 1064 SHG)
    15,27 mrad·cm (θ, Typ II, 1064 SHG)

    Temperatur Akzeptanz

    4.7℃·cm (Typ I, 1064 SHG)
    7,5℃·cm (Typ II, 1064 SHG)

    Spektral Akzeptanz

    1.0nm·cm (Typ I, 1064 SHG)
    1.3nm·cm (Typ II, 1064 SHG)

    Walk-off Wénkel

    0,60° (Typ I 1064 SHG)
    0,12° (Typ II 1064 SHG)

     

    Technesch Parameteren
    Dimensioun Toleranz (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm)(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.1/-0.1) mm) (L<2,5 mm)
    Kloer Ouverture zentral 90% vum Duerchmiesser Keng siichtbar Streuungsweeër oder Zentren wann se vun engem 50mW grénge Laser gepréift ginn
    Flaachheet manner wéi λ/8 @ 633nm
    Iwwerdroung vun der Wellefront Verzerrung manner wéi λ/8 @ 633nm
    Chamfer ≤0,2 mm x 45°
    Chip ≤0,1 mm
    Schrummen / Dig besser wéi 10/5 zu MIL-PRF-13830B
    Parallelismus besser wéi 20 Bousekonnen
    Perpendicularitéit ≤5 Bogenminutten
    Wénkel Toleranz △θ≤0.25°, △φ≤0.25°
    Schued Schwell[GW/cm2] >10 fir 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (nëmmen poléiert)>1 fir 1064nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-beschichtet)>0,5 fir 532nm, TEM00, 10ns, 10HZ (AR-beschichtet)