Tm dotéiert Kristaller ëmfaassen puer attraktiv Fonctiounen datt se als Material vun Wiel fir Feststoff-Laser Quelle mat Emissioun Wellelängt tunable ronderëm 2um nominéiert.Et gouf bewisen datt Tm:YAG Laser vun 1.91 bis 2.15um ofgestëmmt ka ginn.Ähnlech, Tm:YAP Laser kann Tuning Gamme vun 1,85 ze 2,03 um.The quasi-dräi-Niveau System vun Tm:dotéiert Kristaller verlaangt passenden Pompel Geometrie a gutt Hëtzt Extraktioun vun der aktiv Medien.Op der anerer Säit, Tm dotéiert Material profitéieren vun engem laang fluorescence Liewen Zäit, déi attraktiv ass fir héich-Energie Q-Switched Operatioun. Och, déi efficace Kräiz-Entspanung mat Nopeschlänner Tm3 + Ionen produzéiert zwee excitation photons an ieweschte Laser Niveau fir een absorbéiert Pompel photon.This mécht de Laser ganz efficace mat Quantephysik. Effizienz Approche zwee a reduzéiert thermesch Luede.
Tm:YAG an Tm:YAP hunn hir Uwendung a medizinesche Laser, Radaren an Atmosphär Sensing fonnt.
Eegeschafte vun Tm:YAP hänkt Kristaller Orientatioun.Kristaller laanscht d'A oder 'b' Achs geschnidde gi meeschtens benotzt.
Virdeeler vum Tm:YAP Crysta:
Méi héich Effizienz bei 2μm Gamme am Verglach zum Tm:YAG
Lineariséiert polariséiert Ausgangsstrahl
Breet Absorptiounsband vu 4nm am Verglach zum Tm:YAG
Méi zougänglech fir 795nm mat AlGaAs Diode wéi den Adsorptiounspeak vun Tm:YAG bei 785nm
Basis Eegeschaften:
Space Grupp | D162h (Pnma) |
Gitterkonstanten (Å) | a=5.307, b=7.355, c=5.176 |
Schmelzpunkt (℃) | 1850±30 Uhr |
Schmelzpunkt (℃) | 0.11 |
Thermesch Expansioun (10-6·K-1) | 4,3//a, 10,8//b, 9,5//c |
Dicht (g/cm-3) | 4,3//a, 10,8//b, 9,5//c |
Refraktiounsindex | 1,943//a, 1,952//b, 1,929//cat 0,589 mm |
Hardness (Mohs Skala) | 8,5-9 |
Spezifikatioune:
Dopant Contentatioun | Tm: 0,2~15at% |
Orientéierung | bannent 5° |
"Avefront Verzerrung | <0.125A/inch@632.8nm |
7od Gréisst | Duerchmiesser 2~10mm, Längt 2~100mm Jop Ufro vum Client |
Dimensiounstoleranzen | Duerchmiesser +0,00/-0,05 mm, Längt: ± 0,5 mm |
Faass fäerdeg | Buedem oder poléiert |
Parallelismus | ≤10″ |
Perpendicularitéit | ≤5′ |
Flaachheet | ≤λ/8@632.8nm |
Uewerfläch Qualitéit | L0-5 (MIL-0-13830B) |
Chamfer | 3,15 ± 0,05 mm |
AR Beschichtung Reflexivitéit | < 0,25% |