Tm: YAP Kristaller

Tm dotéiert Kristaller ëmfaassen puer attraktiv Fonctiounen, datt se als Material vun Wiel fir Feststoff-Laser Quelle mat Emissioun Wellelängt tunable ronderëm 2um nominéiert.Et gouf bewisen datt Tm:YAG Laser vun 1.91 bis 2.15um ofgestëmmt ka ginn.Ähnlech, Tm: YAP Laser kann tuning Gamme vun 1,85 ze 2,03 um.The quasi-dräi Niveau System vun Tm: dotéiert Kristaller verlaangt adäquate Pompel Geometrie a gutt Hëtzt Extraktioun vun der aktiv Medien.


  • Space Grupp:D162h (Pnma)
  • Gitterkonstanten (Å):a=5.307, b=7.355, c=5.176
  • Schmelzpunkt (℃):1850±30 Uhr
  • Schmelzpunkt (℃):0.11
  • Thermesch Expansioun (10-6·K-1): 4,3//a, 10,8//b, 9,5//c
  • Dicht (g/cm-3): 4,3//a, 10,8//b, 9,5//c
  • Brechungsindex:1,943//a, 1,952//b, 1,929//c op 0,589 mm
  • Hardness (Mohs Skala):8,5-9
  • Produit Detailer

    Spezifizéierung

    Tm dotéiert Kristaller ëmfaassen puer attraktiv Fonctiounen, datt se als Material vun Wiel fir Feststoff-Laser Quelle mat Emissioun Wellelängt tunable ronderëm 2um nominéiert.Et gouf bewisen datt Tm:YAG Laser vun 1.91 bis 2.15um ofgestëmmt ka ginn.Ähnlech, Tm:YAP Laser kann Tuning Gamme vun 1,85 ze 2,03 um.The quasi-dräi-Niveau System vun Tm:dotéiert Kristaller verlaangt passenden Pompel Geometrie a gutt Hëtzt Extraktioun vun der aktiv Medien.Op der anerer Säit, Tm dotéiert Material profitéieren vun engem laang fluorescence Liewen Zäit, déi attraktiv ass fir héich-Energie Q-Switched Operatioun. Och, déi efficace Kräiz-Entspanung mat Nopeschlänner Tm3 + Ionen produzéiert zwee excitation photons an ieweschte Laser Niveau fir een absorbéiert Pompel photon.This mécht de Laser ganz efficace mat Quantephysik. Effizienz Approche zwee a reduzéiert thermesch Luede.
    Tm:YAG an Tm:YAP hunn hir Uwendung a medizinesche Laser, Radaren an Atmosphär Sensing fonnt.
    Eegeschafte vun Tm:YAP hänkt Kristaller Orientatioun.Kristaller laanscht d'A oder 'b' Achs geschnidde ginn meeschtens benotzt.
    Virdeeler vum Tm:YAP Crysta:
    Méi héich Effizienz bei 2μm Gamme am Verglach zum Tm:YAG
    Lineariséiert polariséiert Ausgangsstrahl
    Breet Absorptiounsband vu 4nm am Verglach zum Tm:YAG
    Méi zougänglech fir 795nm mat AlGaAs Diode wéi den Adsorptiounspeak vun Tm:YAG bei 785nm

    Basis Eegeschaften:

    Space Grupp D162h (Pnma)
    Gitterkonstanten (Å) a=5.307, b=7.355, c=5.176
    Schmelzpunkt (℃) 1850±30 Uhr
    Schmelzpunkt (℃) 0.11
    Thermesch Expansioun (10-6·K-1) 4,3//a, 10,8//b, 9,5//c
    Dicht (g/cm-3) 4,3//a, 10,8//b, 9,5//c
    Refraktiounsindex 1,943//a, 1,952//b, 1,929//cat 0,589 mm 
    Hardness (Mohs Skala) 8,5-9

    Spezifikatioune:

    Dopant Contentatioun Tm: 0,2~15at%
    Orientéierung bannent 5°
    "Avefront Verzerrung <0.125A/inch@632.8nm
    7od Gréisst Duerchmiesser 2~10mm, Längt 2~100mm Jop Ufro vum Client
    Dimensiounstoleranzen Duerchmiesser +0,00/-0,05 mm, Längt: ± 0,5 mm
    Faass fäerdeg Buedem oder poléiert
    Parallelismus ≤10″
    Perpendicularitéit ≤5′
    Flaachheet ≤λ/8@632.8nm
    Uewerfläch Qualitéit L0-5 (MIL-0-13830B)
    Chamfer 3,15 ± 0,05 mm
    AR Beschichtung Reflexivitéit < 0,25%