Cr4 +: YAG Kristaller


  • Produit Numm:Cr4+:Y3Al5O12
  • Kristallstruktur:Kubik
  • Dopant Niveau:0,5 mol-3 mol%
  • Moh Hardness:8.5
  • Refraktiounsindex:1.82@1064nm
  • Orientéierung: <100>bannent 5 ° oder bannent 5 °
  • Initialen Absorptiounskoeffizient:Initialen Absorptiounskoeffizient
  • Éischt Iwwerdroung:3% ~ 98%
  • Produit Detailer

    Technesch Parameteren

    Testbericht

    Cr4 +: YAG ass en idealt Material fir passiv Q-Schalten vun Nd: YAG an aner Nd an Yb dotéiert Laser am Wellelängtberäich vun 0,8 bis 1,2um.
    Virdeeler vun Cr4+:YAG
    • Héich chemesch Stabilitéit an Zouverlässegkeet
    • Einfach ze bedreiwen
    • Héich Schuedschwell (>500MW/cm2)
    • Als héich Muecht, staark Staat a kompakt passiv Q-Switch
    • Laang Liewensdauer a gutt thermesch Konduktivitéit
    Basis Eegeschaften:
    • Cr 4+: YAG gewisen, datt d'Puls Breet vun passiv Q-geschalt Laser sou kuerz wéi 5ns fir diode pompelen Nd: YAG Laser an Widderhuelung esou héich wéi 10kHz fir diode pompelen Nd kéint ginn: YVO4 Laser.Ausserdeem gouf en effiziente gréngen Output @ 532nm, an UV Output @ 355nm an 266nm generéiert, no engem spéideren Intracavitéit SHG an KTP oder LBO, THG an 4HG an LBO a BBO fir Diode gepompelt a passiv Q-geschalt Nd:YAG an Nd: YVO4 Laser.
    • Cr 4+ :YAG ass och e Laserkristall mat tunablen Ausgang vun 1,35 µm bis 1,55 µm.Et kann Ultrashort Puls Laser generéieren (zu fs gepulst) wann se vum Nd:YAG Laser bei 1.064 µm gepompelt ginn.

    Gréisst: 3 ~ 20 mm, H × W: 3 × 3 ~ 20 × 20 mm Op Ufro vum Client
    Dimensiounstoleranzen: Duerchmiesser Duerchmiesser: ± 0,05 mm, Längt: ± 0,5 mm
    Faass fäerdeg Buedem Finish 400#Gmt
    Parallelismus ≤ 20″
    Perpendicularitéit ≤ 15 ′
    Flaachheet < λ/10
    Uewerfläch Qualitéit 20/10 (MIL-O-13830A)
    Wellelängt 950 nm ~ 1100 nm
    AR Beschichtung Reflexivitéit ≤ 0,2% (@1064nm)
    Schued Schwell ≥ 500MW/cm2 10ns 1Hz bei 1064nm
    Chamfer <0,1 mm @ 45°

    ZnGeP201