GGG / SGGG / NGG Garnets gi fir flësseg Epitaxie benotzt. an engem Magnéitfeld gesat ginn.
SGGG Substrat ass exzellent fir Bismut-substituéiert Eisen Granat Epitaxial Filmer ze wuessen, ass gutt Material fir YIG, BiYIG, GdBIG.
Et ass gutt physesch a mechanesch Eegeschaften a chemesch Stabilitéit.
Uwendungen:
YIG, BIG epitaxy Film;
Mikrowellengeräter;
Ersatz GGG
Eegeschaften:
Zesummesetzung | (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12 |
Kristallstruktur | Kubik: a = 12.480 Å , |
Molekulare wDielektric konstanteight | 968,096 |
Schmelzpunkt | ~1730 oC |
Dicht | ~7,09 g/cm3 |
Hardness | ~7.5 (Mohn) |
Refraktiounsindex | 1,95 |
Dielectric konstant | 30 |
Dielektresche Verloscht Tangent (10 GHz) | ca.3.0 * 10_4 |
Crystal Wuesstem Method | Czochralski |
Crystal Wuesstem Richtung | <111> |
Technesch Parameteren:
Orientéierung | <111> <100> innerhalb ± 15 Bogenmin |
Wave Front Verzerrung | <1/4 Welle@632 |
Duerchmiesser Toleranz | ± 0,05 mm |
Längt Toleranz | ± 0,2 mm |
Chamfer | 0,10 mm @ 45º |
Flaachheet | <1/10 Welle bei 633nm |
Parallelismus | < 30 Arc Sekonnen |
Perpendicularitéit | < 15 Arc min |
Uewerfläch Qualitéit | 10/5 Schrummen / Dig |
Kloer Aperture | >90% |
Grouss Dimensiounen vun Kristaller | 2,8-76 mm Duerchmiesser |