Nd: YAP Kristaller

Nd:YAP AlO3 Perovskite (YAP) ass e bekannte Host fir Solid State Laser.D'Kristallanisotropie vu YAP bitt vill Virdeeler.Ausserdeem ass den Ausgangsstrahl linear polariséiert.


  • Chemesch Formel:YAlO3:Nd3+
  • Kristallstruktur:D 162h
  • Gitter Konstant:a=5.176, b=5.307, c=7.355
  • Refraktiounsindex:na=1.929, nb=1.943, nc=1.952
  • dn/dT:na: 9,7x10-6 K-1 nc: 14,5x10-6 K-1
  • Dicht:5,35 g/cm3
  • Schmëlzpunkt:1870°C
  • Spezifesch Hëtzt:400 J/(kg K)
  • Thermesch Konduktivitéit:0,11 W/(cm K)
  • Thermesch Expansioun:9,5 x 10-6 K-1 (a Achs) 4,3 x 10-6 K-1 (B Achs) 10,8 x 10-6 K-1 (C Achs)
  • Knoop Hardness:977 (eng Achs)
  • Produit Detailer

    Basis Eegeschaften

    Nd:YAP AlO3 Perovskite (YAP) ass e bekannte Host fir Solid State Laser.D'Kristallanisotropie vu YAP bitt vill Virdeeler.Ausserdeem ass den Ausgangsstrahl linear polariséiert.
    Virdeeler vun Nd:YAP Kristaller:
    Vergläichbar Schwell- a Steigungseffizienz bei 1079nm zu Nd:YAG bei 1064nm
    Méi héich Effizienz bei 1340nm am Verglach zum Nd:YAG bei 1319nm
    Lineariséiert polariséiert Ausgangsstrahl
    Méi héich Absorptioun am Waasser a Kierperflëssegkeet vun 1340nm am Verglach zum 1319nm

    Chemesch Formel YAlO3:Nd3+
    Kristallstruktur D 162h
    Gitter Konstant a=5.176, b=5.307, c=7.355
    Brechungsindex na=1.929, nb=1.943, nc=1.952
    dn/dT na: 9,7 × 10-6 K-1
    nc: 14,5 × 10-6 K-1
    Dicht 5,35 g/cm3
    Schmëlzpunkt 1870°C
    Spezifesch Hëtzt 400 J/(kg K)
    Thermesch Konduktivitéit 0,11 W/(cm K)
    Thermesch Erweiderung 9,5 x 10-6 K-1 (eng Achs)
    4,3 x 10-6 K-1 (B Achs)
    10,8 x 10-6 K-1 (C Achs)
    Knoop Hardness 977 (eng Achs)

     Spezifikatioune:

    Dopant Konzentratioun Nd 0,7-0,9 at% fir cwand Puls t 1079nm 0,85 ~ 0,95 at% fir cwat 1340nmAner Dotant Konzentratioune sinn op Ufro verfügbar.
    Orientéierung bannent 5°
    Staang Gréissten Duerchmiesser 2 ~ 10mn Längt 20 ~ 150mm Op Ufro vum Customer
    Dimensiounstoleranzen Duerchmiesser +0,00/-0,05 mm, Längt: ± 0,5 mm
    Faass fäerdeg Buedem a poléiert
    Parallelismus ≤10″
    Perpendicularitéit ≤5′
    Flaachheet < λ/10 @632.8nm
    Uewerfläch Qualitéit 10-5 (MIL-0-13830B)
    Chamfer 0,15 ± 0,05 mm
    AR Beschichtung Reflexivitéit < 0,25% (@W64nm)