Nd: YVO4 Kristaller

Atomdicht:1,26 x 1020 Atomen/cm3 (Nd1,0%)

Kristallstruktur Zell Parameter:Zirkon Tetragonal, Raumgrupp D4h-I4/amd a=b=7.1193Å,c=6.2892Å

Dicht:4,22 g/cm3

Mohs Hardness:4-5 (Glas-ähnlech)

Thermesch Expansiounskoeffizient (300K):αa=4.43x10-6/K αc=11.37x10-6/K

Thermesch Konduktivitéitskoeffizient (300K):∥C: 0,0523 W/cm/K
⊥C: 0,0510 W/cm/K

Lasing Wellelängt:1064 nm, 1342 nm

Thermal opteschen Koeffizient (300K):dno/dT=8.5×10-6/K
dne/dT=2.9×10-6/K

Stimuléiert Emissioun Querschnitt:25 × 10-19 cm2 @ 1064 nm

WhatsApp Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Basis Eegeschaften

Nd: YVO4 ass den effizientesten Laserhostkristall fir Diodepompelen ënner den aktuellen kommerziellen Laserkristaller, besonnesch fir niddereg bis mëttel Kraaftdicht.Dëst ass haaptsächlech fir seng Absorptiouns- an Emissiounsfeatures déi Nd:YAG iwwerschreiden.Gepompelt vu Laserdioden, Nd: YVO4 Kristall gouf mat héije NLO Koeffizient Kristalle (LBO, BBO oder KTP) integréiert fir d'Frequenzverschiebung vum Ausgang vun der noer Infrarout op gréng, blo oder souguer UV ze veränneren.Dës Integratioun fir all Solid-State Laser ze konstruéieren ass en idealt Laser-Tool dat déi verbreetste Applikatioune vu Laser kann ofdecken, dorënner Bearbechtung, Materialveraarbechtung, Spektroskopie, Waferinspektioun, Liichtdisplay, medizinesch Diagnostik, Laserdruck, an Datelagerung, asw. gouf gewisen datt Nd: YVO4 baséiert Diode gepompelt Solid State Laser séier d'Mäert besetzen déi traditionell dominéiert vu Waassergekillte Ionelaser a Lampepompel Laser, besonnesch wann kompakt Design an Single-Längsmodus Ausgänge erfuerderlech sinn.
D'Virdeeler vum Nd:YVO4 iwwer Nd:YAG:
• Sou héich wéi ongeféier fënnef Mol méi grouss Absorptiounseffizient iwwer eng breet Pompelbandbreedung ëm 808 nm (dofir ass d'Ofhängegkeet vun der Pompelwellelängt vill méi niddereg an eng staark Tendenz zum eenzege Modusausgang);
• Esou grouss wéi dräimol méi grouss stimuléiert Emissioun Querschnitt op der lasing Wellelängt vun 1064nm;
• Ënneschten lasing Schwell an héich Steigungen Effizienz;
• Als uniaxial Kristall mat enger grousser Bibriechung ass d'Emissioun nëmmen eng linear polariséiert.
Laser Eegeschafte vun Nd:YVO4:
• Een attraktivste Charakter vun Nd: YVO4 ass, am Verglach mam Nd: YAG, seng 5 Mol méi grouss Absorptiounskoeffizient an enger méi breeder Absorptiounsbandbreedung ronderëm d'808nm Peakpompelwellelängt, déi just dem Standard vun High Power Laserdioden entsprécht, déi aktuell verfügbar sinn.Dëst bedeit e méi klenge Kristall dee fir de Laser benotzt ka ginn, wat zu engem méi kompakte Lasersystem féiert.Fir eng bestëmmte Ausgangskraaft heescht dat och e méi nidderegen Kraaftniveau bei deem d'Laserdiode funktionnéiert, sou datt d'Liewensdauer vun der deier Laserdiode verlängert gëtt.Déi méi breet Absorptiounsbandbreedung vun Nd: YVO4, déi 2,4 bis 6,3 Mol déi vun Nd: YAG erreecht.Nieft méi effizienter Pompelen, heescht et och eng méi breet Palette vun Auswiel u Diode Spezifikatioune.Dëst wäert hëllefräich sinn Laser System Décideuren fir méi breet Toleranz fir manner Käschten Wiel.
• Nd: YVO4 Kristall huet méi grouss stimuléiert Emissioun Querschnitt, souwuel um 1064nm an 1342nm.Wann d'A-Achs Nd:YVO4 Kristall geschnidden ass, déi op 1064m laséiert, ass et ongeféier 4 Mol méi héich wéi dee vum Nd:YAG, wärend um 1340nm de stimuléierte Querschnitt 18 Mol méi grouss ass, wat zu enger CW Operatioun féiert, déi Nd:YAG komplett iwwerpréift. op 1320 nm.Dës maachen Nd: YVO4 Laser einfach eng staark eenzeg Linn Emissioun op déi zwou Wellelängten ze erhalen.
• Anere wichtege Charakter vun Nd: YVO4 Laser ass, well et eng uniaxial anstatt eng héich Symmetrie vun Kubikzentimeter als Nd: YAG ass, et emittéiert nëmmen eng linear polariséiert Laser, domat ongewollt birefringent Effekter op der Frequenz Ëmwandlung vermeiden.Och wann d'Liewensdauer vum Nd: YVO4 ongeféier 2,7 Mol méi kuerz ass wéi déi vum Nd: YAG, kann seng Steigungseffizienz nach ëmmer zimlech héich sinn fir e richtegen Design vu Laser Kavitéit, wéinst senger héijer Pompel Quante Effizienz.

Atomdicht	1,26 × 1020 Atomer/cm3 (Nd1,0%)
Crystal StructureCell Parameter	Zircon Tetragonal, Raumgrupp D4h-I4/amd a=b=7,1193Å, c=6,2892Å
Dicht	4,22 g/cm3
Mohs Hardness	4-5 (Glas-ähnlech)
Thermesch Expansiounskoeffizient(300K)	αa=4,43×10-6/K αc=11,37×10-6/K
Thermesch Konduktivitéitskoeffizient(300K)	∥C:0,0523 W/cm/K ⊥C:0,0510 W/cm/K
Lasing Wellelängt	1064 nm,1342 nm
Thermal opteschen Koeffizient(300K)	dno/dT=8.5×10-6/K dne/dT=2.9×10-6/K
Stimuléiert Emissioun Querschnitt	25 × 10-19 cm2 @ 1064 nm
Fluorescent Liewensdauer	90μs(1%)
Absorptiounskoeffizient	31,4 cm-1 @ 810 nm
Intrinsesche Verloscht	0.02cm-1 @1064nm
Gewannen bandwidth	0,96 nm @ 1064 nm
Polariséiert Laser Emissioun	Polariséierung;parallel zur optescher Achs (c-Achs)
Diode gepompelt optesch optesch Effizienz	>60%

Technesch Parameteren:

Chamfer	<λ/4 @ 633nm
Dimensiounstoleranzen	(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.2/-0.1mm)(L＜2,5 mm)(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm)(L＞2,5 mm)
Kloer Ouverture	Zentral 95%
Flaachheet	λ/8 @ 633 nm, λ/4 @ 633 nm(tickness manner wéi 2 mm)
Uewerfläch Qualitéit	10/5 Schrummen / Dig pro MIL-O-1380A
Parallelismus	besser wéi 20 Bousekonnen
Perpendicularitéit	Perpendicularitéit
Chamfer	0,15 x 45 gr
Beschichtung	1064 nm,R＜0,2%；HR Beschichtung:1064 nm,R＞99,8%,8 08nm,T＞95%