Silizium ass e Mono-Kristall, deen haaptsächlech am Hallefleit benotzt gëtt an ass net absorbéiert an 1.2μm bis 6μm IR Regiounen.Et gëtt hei als opteschen Komponent fir IR Regioun Uwendungen benotzt.
Silicon gëtt als optesch Fënster haaptsächlech an der 3 bis 5 Mikron Band benotzt an als Substrat fir d'Produktioun vun opteschen Filteren.Grouss Siliziumblocken mat poléierte Gesiichter ginn och als Neutronenziler a Physik Experimenter benotzt.
Silizium gëtt duerch Czochralski Pulltechniken (CZ) ugebaut an enthält e bësse Sauerstoff wat eng Absorptiounsband bei 9 Mikron verursaacht.Fir dëst ze vermeiden, kann Silicon duerch e Float-Zone (FZ) Prozess virbereet ginn.Optesch Silizium ass allgemeng liicht dotéiert (5 bis 40 ohm cm) fir déi bescht Iwwerdroung iwwer 10 Mikron.Silicon huet eng weider Passe Band 30 ze 100 Mikron déi effektiv nëmmen an ganz héich resistivity uncompensed Material ass.Doping ass normalerweis Bor (P-Typ) a Phosphor (N-Typ).
Applikatioun:
• Ideal fir 1,2 bis 7 μm NIR Uwendungen
• Breetband 3 bis 12 μm Anti-Reflexiounsbeschichtung
• Ideal fir Gewiicht sensibel Uwendungen
Feature:
• Dës Siliziumfenster iwwerdroen net op 1µm Regioun oder ënner, dofir ass seng Haaptapplikatioun an IR Regiounen.
• Wéinst senger héijer thermescher Konduktivitéit ass et gëeegent fir als High Power Laser Spigel ze benotzen
▶Silicon Fensteren hunn eng glänzend Metalloberfläch;et reflektéiert an absorbéiert awer iwwerdroen net an de sichtbare Regiounen.
▶Silicon Fënsteren Uewerfläch Reflexioun Resultater an Transmissioun Verloscht vun 53%.(gemoossene Donnéeën 1 Surface Reflexioun bei 27%)
Iwwerdroung Range: | 1,2 bis 15 μm (1) |
Refraktioun Index: | 3.4223 @ 5 μm (1) (2) |
Reflexiounsverloscht: | 46,2% op 5 μm (2 Flächen) |
Absorptiounskoeffizient: | 0,01 cm-1op 3m |
Reststrahlen Peak: | n/a |
dn/dT: | 160 x 10-6/°C (3) |
dn/dμ = 0 : | 10,4 μm |
Densitéit: | 2,33 g/cc |
Schmëlzpunkt : | 1420 °C |
Thermesch Konduktivitéit: | 163,3 W m-1 K-1op 273k |
Thermesch Expansioun: | 2,6x10-6/ bei 20°C |
Hardness: | Knoop 1150 |
Spezifesch Hëtzt Kapazitéit: | 703 J Kg-1 K-1 |
Dielektresch Konstant: | 13 op 10 GHz |
Youngs Modulus (E): | 131 GPa (4) |
Schéiermodul (G): | 79.9 GPa (4) |
Bulk Modul (K): | 102 GPa |
Elastesche Koeffizienten: | C11=167;C12=65;C44= 80 (4) |
Scheinbar Elastesch Limit: | 124,1 MPa (18000 psi) |
Poisson Verhältnis: | 0.266 (4) |
Solubilitéit: | Onopléisbar am Waasser |
Molekulare Gewiicht: | 28.09 |
Klass / Struktur: | Kubik Diamant, Fd3m |