Cr4 +: YAG ass en idealt Material fir passiv Q-Schalten vun Nd: YAG an aner Nd an Yb dotéiert Laser am Wellelängtberäich vun 0,8 bis 1,2um.
Virdeeler vun Cr4+:YAG
• Héich chemesch Stabilitéit an Zouverlässegkeet
• Einfach ze bedreiwen
• Héich Schuedschwell (>500MW/cm2)
• Als héich Muecht, staark Staat a kompakt passiv Q-Switch
• Laang Liewensdauer a gutt thermesch Konduktivitéit
Basis Eegeschaften:
• Cr 4+: YAG gewisen, datt d'Puls Breet vun passiv Q-geschalt Laser sou kuerz wéi 5ns fir diode pompelen Nd: YAG Laser an Widderhuelung esou héich wéi 10kHz fir diode pompelen Nd kéint ginn: YVO4 Laser.Ausserdeem gouf en effiziente gréngen Output @ 532nm, an UV Output @ 355nm an 266nm generéiert, no enger spéider Intracavitéit SHG an KTP oder LBO, THG an 4HG an LBO a BBO fir Diode gepompelt a passiv Q-geschalt Nd:YAG an Nd: YVO4 Laser.
• Cr 4+ :YAG ass och e Laserkristall mat tunablen Ausgang vun 1,35 µm bis 1,55 µm.Et kann Ultrashort Puls Laser generéieren (zu fs gepulst) wann se vum Nd:YAG Laser bei 1.064 µm gepompelt ginn.
Gréisst: | 3 ~ 20 mm, H × W: 3 × 3 ~ 20 × 20 mm Op Ufro vum Client |
Dimensiounstoleranzen: Duerchmiesser | Duerchmiesser: ± 0,05 mm, Längt: ± 0,5 mm |
Faass fäerdeg | Terrain Finish 400#Gmt |
Parallelismus | ≤ 20″ |
Perpendicularitéit | ≤ 15 ′ |
Flaachheet | < λ/10 |
Uewerfläch Qualitéit | 20/10 (MIL-O-13830A) |
Wellelängt | 950 nm ~ 1100 nm |
AR Beschichtung Reflexivitéit | ≤ 0,2% (@1064nm) |
Schued Schwell | ≥ 500MW/cm2 10ns 1Hz bei 1064nm |
Chamfer | <0,1 mm @ 45° |