GaP
Galliumphosphid (GaP) Kristall ass en infrarout optescht Material mat gudder Uewerflächhärkeet, héijer thermescher Konduktivitéit a breetbandtransmission.Duerch seng excellent ëmfaassend opteschen, mechanesch an thermesch Eegeschaften, GaP Kristalle kënnen an militäresch an aner kommerziell High-Tech Beräich applizéiert ginn.
| Basis Eegeschaften | |
| Kristallstruktur | Zénk Blend |
| Grupp vu Symmetrie | Td2-F43m |
| Zuel vun Atomer an 1 cm3 | 4,94·1022 |
| Auger Rekombinatiounskoeffizient | 10-30cm6/s |
| Debye Temperatur | 445 K |
| Dicht | 4,14 g cm-3 |
| Dielectric konstant (statesch) | 11.1 |
| Dielektresch Konstant (héich Frequenz) | 9.11 |
| Effektiv Elektronenmassml | 1.12mo |
| Effektiv Elektronenmassmt | 0,22mo |
| Effektiv Lachmassenmh | 0.79mo |
| Effektiv Lachmassenmlp | 0.14mo |
| Elektronen Affinitéit | 3, 8v |
| Gitter konstant | 5.4505 A |
| Optesch Phononenergie | 0,051 |
| Technesch Parameteren | |
| Dicke vun all Komponent | 0,002 an 3 +/-10%mm |
| Orientéierung | 110-110 |
| Uewerfläch Qualitéit | scr-dig 40-20 - 40-20 |
| Flaachheet | Wellen bei 633 nm - 1 |
| Parallelismus | arc min <3 |
